MJD42C

Name: Galaxy Microelectronics MJD42C
Brand: Galaxy Microelectronics
Rating: 4.9 (7 reviews)

Galaxy Microelectronics
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
-
Description: Medium Power PNP Bipolar Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 100V; IC (A): 6A; HFE Min: 15; HFE Max: 75; VCE (V): 4V; IC (mA): 3000mA; VCE(SAT) (V): 1.5V; IC (mA)1: 6000mA; IB (mA): 600mA; FT Min (MHz): 3 MHz; PTM Max (W): 1.5W; Package: TO-251/252; package_code: TO-251/252; mfr_package_code: TO-251/252
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Gross Weight：329.24
Класс защиты：IP68
Материал герметизации：EPDM
Incoming cable diameter：37-44 mm
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Код упаковки компонента：TO-251/252
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Траниционный частотный предел (fT)：3 MHz
Код ECCN：EAR99
Тип：IP68 Sealed Metal Cable Entry of MG Series
Дополнительная Характеристика：TUBE: 80
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PDSO-G2
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Максимальная потеря мощности (абс.)：1.5 W
Максимальный ток коллектора (IC)：6 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：15
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：100 V
Максимальное напряжение на выходе：1.5 V

Со склада 0

Итого $0.00000