(0)
Изображение служит лишь для справки
IRLR120N
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 22800
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：End Of Life
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Описание пакета：DPAK-3
- Максимальный ток утечки (ID)：10 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Gross Weight：0.07
- Размер провода：22 AWG; 0.5mm2
- Размеры：s1=0.15 s2=0.3 d1=1.0 d2=2.6
- Contact Material：tinned copper
- Материал изолятора：vinyl, nylon
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Тип：tubular insulated ferrule connector series DN
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.225 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：35 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：85 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения：1
- Длина：14 mm
Со склада 22800
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
