MMBTH10

Name: Galaxy Microelectronics MMBTH10
Brand: Galaxy Microelectronics
Rating: 4.6 (7 reviews)

Galaxy Microelectronics
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
-
Description: General Purpose NPN Bipolar Transistor; Polarity: NPN; V(BR)CEO Min (V): 25V; IC (A): 0.05A; HFE Min: 60; VCE (V): 10V; IC (mA): 4mA; VCE(SAT) (V): 0.5V; IC (mA)1: 4mA; IB (mA): 0.4mA; FT Min (MHz): 650 MHz; PTM Max (W): 0.35W; Package: SOT-23; package_code: SOT-23; mfr_package_code: SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Код упаковки компонента：SOT-23
Описание пакета：SOT-23, 3 PIN
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Траниционный частотный предел (fT)：650 MHz
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Конфигурация：SINGLE
Полярность/Тип канала：NPN
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.35 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.05 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：60
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：25 V
Максимальное напряжение на выходе：0.5 V
Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Сопротивление базы-эмиттора макс：0.7 pF
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.35 W

Со склада 0

Итого $0.00000