Изображение служит лишь для справки
FLM4450-8F
- FUJITSU Limited
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 3 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:GALLIUM ARSENIDE
- Материал наружного корпуса:1
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:FUJITSU LTD
- Описание пакета:HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 3 PIN
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:2
- Код JESD-30:R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения:15 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):JUNCTION
- Частотная полоса наивысшего режима:C BAND
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:42.8 W
Со склада 0
Итого $0.00000