Изображение служит лишь для справки

IRF5210PBF

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of integrated circuit:STM32 ARM microcontroller
  • Монтаж:SMD
  • Number of inputs/outputs:27
  • Case:UFQFN32
  • Kind of architecture:Cortex M0+
  • Память:12kB SRAM
  • Number of 12bit A/D converters:1
  • Number of comparators:1
  • Number of 12bit D/A converters:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Transferred
  • Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
  • Код упаковки компонента:TO-220AB
  • Описание пакета:LEAD FREE PACKAGE-3
  • Максимальный ток утечки (ID):40 A
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN OVER NICKEL
  • Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Семейство:STM32U0
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-220AB
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.06 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:140 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:100 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):780 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):150 W

Со склада 0

Итого $0.00000