Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of diode:TVS array
  • Semiconductor structure:common cathode
  • Монтаж:SMD
  • Case:SO8
  • Max. off-state voltage:36V
  • Features of semiconductor devices:ESD protection
  • Kind of package:reel,
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:NEXPERIA
  • Описание пакета:DFN1006-3, 3 PIN
  • Date Of Intro:2017-02-17
  • Максимальный ток утечки (ID):1.2 A
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:CHIP CARRIER
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN
  • Капацитивность:25pF
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Нормативная Марка:IEC-60134
  • Код JESD-30:R-PBCC-N3
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.32 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:20 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Применение термистора:40V
  • Ток насыщения:1

Со склада 0

Итого $0.00000