PDTC124ET

Name: Nexperia PDTC124ET
Brand: Nexperia
Rating: 4.8 (16 reviews)

Nexperia
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
-
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of module：IGBT
Semiconductor structure：transistor/transistor
Max. off-state voltage：1.2kV
Сборный ток：600A
Case：SEMITRANS3
Electrical mounting：FASTON connectors,
Gate-emitter voltage：±20V
Pulsed collector current：1.8kA
Mechanical mounting：screw
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NEXPERIA
Date Of Intro：1995-02-01
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Траниционный частотный предел (fT)：230 MHz
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Топология：IGBT half-bridge
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Код JEDEC-95：TO-236AB
Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：60
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：for UPS,
Ток насыщения：1

Со склада 0

Итого $0.00000