Изображение служит лишь для справки

B5817WS

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:SURGE COMPONENTS INC
  • Описание пакета:ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
  • Температура работы-Макс:125 °C
  • Минимальная температура работы:-65 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Type of module:IGBT
  • Semiconductor structure:diode/transistor
  • Max. off-state voltage:1.2kV
  • Сборный ток:300A
  • Case:SEMITRANS3
  • Electrical mounting:FASTON connectors,
  • Gate-emitter voltage:±20V
  • Pulsed collector current:900A
  • Mechanical mounting:screw
  • Код ECCN:EAR99
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Код JESD-30:R-PDSO-G2
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:RECTIFIER DIODE
  • Топология:boost chopper
  • Выводная мощность-макс:1 A
  • Количество фаз:1
  • Максимальное обратное напряжение:20 V
  • Диапазон выхода:0.2 W
  • Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:for UPS,

Со склада 0

Итого $0.00000