BZV55-B10

Name: Galaxy Microelectronics BZV55-B10
Brand: Galaxy Microelectronics
Rating: 4.9 (9 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
Материал наружного корпуса：1
Type of module：IGBT
Semiconductor structure：diode/transistor
Max. off-state voltage：650V
Сборный ток：300A
Case：SEMITRANS3
Electrical mounting：FASTON connectors,
Gate-emitter voltage：±20V
Pulsed collector current：900A
Mechanical mounting：screw
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Описание пакета：MELF-2
Температура работы-Макс：200 °C
Материал корпуса пакета：GLASS
Форма упаковки：ROUND
Форма упаковки：LONG FORM
Номинальный напряжений отсчета：10 V
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Положение терминала：END
Форма вывода：WRAP AROUND
Код соответствия REACH：unknown
Нормативная Марка：MIL-STD-202
Код JESD-30：O-LELF-R2
Направленность：UNIDIRECTIONAL
Конфигурация：SINGLE
Тип диода：ZENER DIODE
Сокетная связка：ISOLATED
Топология：boost chopper
Допустимый напряжений предел：2%
Тестовая рабочая токовая струя：5 mA
Максимальный обратный ток：0.2 μA
Динамическое сопротивление-макс：20 Ω
Обратная тестовая напряжение：7 V
Диапазон выхода：0.5 W
Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：for UPS,
Напряжение Темп Коэфф-Макс：8 mV/°C
Импеданс-наимакс коленной части：150 Ω

Со склада 0

Итого $0.00000