Изображение служит лишь для справки

IRF640PBF

Lagernummer 1385

  • 1+: $1.22806
  • 10+: $1.15855
  • 100+: $1.09297
  • 500+: $1.03111
  • 1000+: $0.97274

Zwischensummenbetrag $1.22806

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:17 Weeks, 3 Days
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Код упаковки компонента:TO-220AB
  • Описание пакета:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
  • Максимальный ток утечки (ID):18 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-220AB
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.18 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:72 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:200 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):580 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):125 W

Со склада 1385

  • 1+: $1.22806
  • 10+: $1.15855
  • 100+: $1.09297
  • 500+: $1.03111
  • 1000+: $0.97274

Итого $1.22806