SIZ322DT-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SIZ322DT-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.7 (13 reviews)

Lagernummer 44

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：,
Date Of Intro：2017-03-21
Максимальный ток утечки (ID)：30 A
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Время отключения макс. (toff)：60 ns
Время включения макс. (ton)：70 ns
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：S-PDSO-N8
Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN SOURCE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.00635 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：100 A
Минимальная напряжённость разрушения：25 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：11.25 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：16.7 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：50 pF

Со склада 44

Итого $0.00000