FPD200P70

Name: RF Micro Devices Inc FPD200P70
Brand: RF Micro Devices Inc
Rating: 5 (12 reviews)

RF Micro Devices Inc
Транзисторы - Специального назначения
-
Description: RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：GALLIUM ARSENIDE
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：RF MICRO DEVICES INC
Описание пакета：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Температура работы-Макс：175 °C
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Форма упаковки：ROUND
Форма упаковки：DISK BUTTON
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：GOLD
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Положение терминала：RADIAL
Форма вывода：FLAT
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：4
Код JESD-30：O-CRDB-F4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：DEPLETION MODE
Сокетная связка：SOURCE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Минимальная напряжённость разрушения：8 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：HIGH ELECTRON MOBILITY
Частотная полоса наивысшего режима：K BAND
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.47 W
Ток насыщения：1
Уголок мощности-минимум (Гп)：9 dB

Со склада 0

Итого $0.00000