Изображение служит лишь для справки

SQM120N06-3M5L_GE3

Lagernummer 664

  • 1+: $2.12873
  • 10+: $2.00824
  • 100+: $1.89456
  • 500+: $1.78732
  • 1000+: $1.68615

Zwischensummenbetrag $2.12873

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:18 Weeks
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
  • Максимальный ток утечки (ID):120 A
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-263AB
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0035 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:480 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:60 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):500 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Ток насыщения:1

Со склада 664

  • 1+: $2.12873
  • 10+: $2.00824
  • 100+: $1.89456
  • 500+: $1.78732
  • 1000+: $1.68615

Итого $2.12873