Изображение служит лишь для справки
SQM120N06-3M5L_GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
- Date Sheet
Lagernummer 664
- 1+: $2.12873
- 10+: $2.00824
- 100+: $1.89456
- 500+: $1.78732
- 1000+: $1.68615
Zwischensummenbetrag $2.12873
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:18 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID):120 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0035 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:480 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):500 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
Со склада 664
- 1+: $2.12873
- 10+: $2.00824
- 100+: $1.89456
- 500+: $1.78732
- 1000+: $1.68615
Итого $2.12873