Изображение служит лишь для справки
SQJA62EP-T1_GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8L, 4 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 22766
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:25 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SO-8L, 4 PIN
- Максимальный ток утечки (ID):75 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):75 ns
- Время включения макс. (ton):45 ns
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0045 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:140 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):88 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):80 pF
Со склада 22766
Итого $0.00000