(0)
Изображение служит лишь для справки
SI2309CDS-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, SOT-23, TO-236, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 18017
- 1+： $0.20342
- 10+： $0.19191
- 100+： $0.18104
- 500+： $0.17080
- 1000+： $0.16113
Zwischensummenbetrag $0.20342
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：SOT-23, TO-236, 3 PIN
- Максимальный ток утечки (ID)：1.6 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-236AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.345 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.7 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：20 pF
- Ток насыщения：1
Со склада 18017
- 1+： $0.20342
- 10+： $0.19191
- 100+： $0.18104
- 500+： $0.17080
- 1000+： $0.16113
Итого $0.20342
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
