Изображение служит лишь для справки
MS2575
- Microsemi Corporation
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Description: RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, M115, 4 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Описание пакета:HERMETIC SEALED, M115, 4 PIN
- Температура работы-Макс:200 °C
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:DISK BUTTON
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Положение терминала:RADIAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:4
- Код JESD-30:O-CRDB-F4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:BASE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальный ток коллектора (IC):3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):15
- Частотная полоса наивысшего режима:L BAND
Со склада 0
Итого $0.00000