Изображение служит лишь для справки
2SC3022
- Mitsubishi Electric
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERAMIC, FM-6
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Type of connector:pin strips
- Соединитель:socket
- Kind of connector:female
- Spatial orientation:straight
- Contacts pitch:2.54mm
- Electrical mounting:THT
- Connector pinout layout:1x16
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:6
- Код JESD-30:R-CDFM-F6
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:EMITTER
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.):50 W
- Максимальный ток коллектора (IC):7 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):20
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:17 V
- Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Профиль:beryllium copper
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:50 W
- Уголок мощности-минимум (Гп):4.7 dB
Со склада 0
Итого $0.00000