Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NCEP023N10T
Изображение служит лишь для справки
NCEP023N10T
-
Wuxi NCE Power Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 280A 1.85mΩ@10V,140A 365W 3V@250uA 1 N-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 130
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：100V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：1.85mΩ@10V,140A
- Power Dissipation (Pd)：365W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：77pF@50V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：17nF@50V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：252nC@10V
- Package：Tube-packed
- Operating Temperature：-55℃~+175℃@(Tj)
- Type：1 N-Channel
Со склада 130
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты