Изображение служит лишь для справки
M15T2G16128A-DEBG2L
-
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
-
Память
- -
- DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：96
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
- Описание пакета：VFBGA,
- Date Of Intro：2017-08-08
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：933 MHz
- Количество слов：134217728 words
- Количество кодовых слов：128000000
- Температура работы-Макс：85 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：VFBGA
- Код эквивалентности пакета：BGA96,9X16,32
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.35 V
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.5V NOMINAL SUPPLY
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.36
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PBGA-B96
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.45 V
- Градация температуры：OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.283 V
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.25 mA
- Организация：128MX16
- Максимальная высота посадки：1 mm
- Ширина памяти：16
- Ток ожидания-макс：0.02 A
- Плотность памяти：2147483648 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：DDR3L DRAM
- Секвентальный длина импульса：8
- Межстрочный длина пакета：8
- Режим доступа：MULTI BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
- Длина：13.5 mm
- Ширина：7.5 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты