Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

PESD3V3S1UL

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Transferred
  • Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
  • Код упаковки компонента:DFN
  • Описание пакета:R-PBCC-N2
  • Пороговая напряжённость-номинал:5.6 V
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Количество элементов:1
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:CHIP CARRIER
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
  • Дополнительная Характеристика:LOW LEAKAGE CURRENT
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Число контактов:2
  • Код JESD-30:R-PBCC-N2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Направленность:UNIDIRECTIONAL
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
  • Максимальное обратное напряжение:3.3 V
  • Максимальная мощность разрядки:150 W
  • Минимальная напряжение разрушения:5.2 V
  • Максимальная напряжённость разрушения:6 V

Со склада 0

Итого $0.00000