M12L128168A-7TG

Name: Elite Semiconductor Memory Technology Inc M12L128168A-7TG
Brand: Elite Semiconductor Memory Technology Inc
Rating: 4.9 (13 reviews)

Elite Semiconductor Memory Technology Inc
Память
-
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：54
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
Производитель IHS：ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
Код упаковки компонента：TSOP2
Описание пакета：TSOP2, TSOP54,.46,32
Время доступа-максимум：5.4 ns
Частота часовного генератора макс. (fCLK)：143 MHz
Количество слов：8388608 words
Количество кодовых слов：8000000
Температура работы-Макс：70 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код пакета：TSOP2
Код эквивалентности пакета：TSOP54,.46,32
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
Код ТН ВЭД：8542.32.00.02
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：54
Код JESD-30：R-PDSO-G54
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：3 V
Количество портов：1
Режим работы：SYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.14 mA
Организация：8MX16
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：16
Ток ожидания-макс：0.002 A
Плотность памяти：134217728 bit
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：SYNCHRONOUS DRAM
Обновляющие циклы：4096
Секвентальный длина импульса：1,2,4,8,FP
Межстрочный длина пакета：1,2,4,8
Режим доступа：FOUR BANK PAGE BURST
Автоперезапись：YES
Длина：22.22 mm
Ширина：10.16 mm

Со склада 0

Итого $0.00000