Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AP5N30D
Изображение служит лишь для справки
AP5N30D
-
A Power microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 300V 5A 58.7W 1.2Ω@10V,2.5A 3.2V@250uA 1 N-Channel TO-252-3L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：300V
- Power Dissipation (Pd)：58.7W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,2.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3.2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：7pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：291pF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：8.4nC@10V
- Package：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：-55℃~+150℃@(Tj)
- Type：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты