Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AP5N10BI
Изображение служит лишь для справки
AP5N10BI
-
A Power microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 5A 3.1W 105mΩ@10V,4A 1.7V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：100V
- Power Dissipation (Pd)：3.1W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,4A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：3.6pF@50V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：182pF@50V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：3.57nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты