Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HYG060P04LQ1D
Изображение служит лишь для справки
HYG060P04LQ1D
-
HUAYI
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 40V 70A 2.8mΩ@10V,20A 65W 1.6V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 15
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：40V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,20A
- Power Dissipation (Pd)：65W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：403pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：6.774nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：63nC@4.5V
- Package：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：-55℃~+175℃@(Tj)
- Type：1 N-Channel
Со склада 15
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты