Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AP5N20D-H
Изображение служит лишь для справки
AP5N20D-H
-
A Power microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 200V 5A 530mΩ@10V,2.5A 46W 3.1V@250uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：200V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：530mΩ@10V,2.5A
- Power Dissipation (Pd)：46W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3.1V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：17pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：228pF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：18nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты