Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N7002LT1G-MS
Изображение служит лишь для справки
2N7002LT1G-MS
-
MSKSEMI
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 60V 300mA 2.2Ω@10V,300mA 350mW 1.6V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：60V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@10V,300mA
- Power Dissipation (Pd)：350mW
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：25.5pF@30V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：3.7nC@10V
- Package：Tape & Reel (TR)
- Type：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты