Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APJ14N65D
Изображение служит лишь для справки
APJ14N65D
-
A Power microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 8A 25.5W 560mΩ@10V,3.2A 3.3V@250uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：650V
- Power Dissipation (Pd)：25.5W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：560mΩ@10V,3.2A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3.3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：1.32pF@100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：438pF@100V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：11nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты