(0)
Изображение служит лишь для справки
MJD127-1
-
Samsung Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：IN-LINE
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Полярность/Тип канала：PNP
- Максимальная потеря мощности (абс.)：20 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：8 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：100
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：100 V
- Максимальное напряжение на выходе：4 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：300 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：20 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
