(0)
Изображение служит лишь для справки
IMD6AT109
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROHM CO LTD
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Количество элементов：2
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Дополнительная Характеристика：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN AND PNP
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：100
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
- Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
