Изображение служит лишь для справки
SMDJ18CAHV7G
- Taiwan Semiconductor
- Диоды - Зенеры - Одинарные
- -
- Trans Voltage Suppressor Diode,
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- Пороговая напряжённость-номинал:21.05 V
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Максимальная мощность рассеяния:6.5 W
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PDSO-C2
- Направленность:BIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Максимальное обратное напряжение:18 V
- Код JEDEC-95:DO-214AB
- Максимальная мощность разрядки:3000 W
- Максимальный обратный ток:1 µA
- Минимальная напряжение разрушения:20 V
- Максимальное напряжение зажима:29.2 V
- Обратная тестовая напряжение:18 V
- Максимальная напряжённость разрушения:22.1 V
Со склада 0
Итого $0.00000