Изображение служит лишь для справки
PDTA123ET
- NXP Semiconductors
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Description: TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Код упаковки компонента:SOT-23
- Описание пакета:PLASTIC PACKAGE-3
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Код JEDEC-95:TO-236AB
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.25 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):30
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
Со склада 0
Итого $0.00000