Изображение служит лишь для справки
QM30HA-H
- Mitsubishi Electric
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X3
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTOR
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PUFM-X3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.):250 W
- Максимальный ток коллектора (IC):30 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):75
- Максимальное напряжение на выходе:2 V
- Время падения максимальное (tf):3000 ns
Со склада 0
Итого $0.00000