Изображение служит лишь для справки
RT1N144C
- Mitsubishi Electric
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Траниционный частотный предел (fT):200 MHz
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Код JEDEC-95:TO-236
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
Со склада 0
Итого $0.00000