Изображение служит лишь для справки
M12L2561616A-6BIG2S
-
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
-
Память
- -
- Description: Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-54
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：54
- Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
- Производитель IHS：ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
- Описание пакета：VFBGA,
- Время доступа-максимум：5.4 ns
- Количество слов：16777216 words
- Количество кодовых слов：16000000
- Температура работы-Макс：85 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：VFBGA
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.24
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：S-PBGA-B54
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
- Градация температуры：INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：3 V
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Организация：16MX16
- Максимальная высота посадки：1 mm
- Ширина памяти：16
- Плотность памяти：268435456 bit
- Тип микросхемы памяти：SYNCHRONOUS DRAM
- Режим доступа：FOUR BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
- Длина：8 mm
- Ширина：8 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты