IS61QDP2B22M36A-300B4

Name: Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B22M36A-300B4
Brand: Integrated Silicon Solution Inc
Rating: 4.5 (19 reviews)

Integrated Silicon Solution Inc
Память
-
QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：165
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Код упаковки компонента：BGA
Описание пакета：LBGA, BGA165,11X15,40
Время доступа-максимум：0.45 ns
Частота часовного генератора макс. (fCLK)：300 MHz
Количество слов：2097152 words
Количество кодовых слов：2000000
Температура работы-Макс：70 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код пакета：LBGA
Код эквивалентности пакета：BGA165,11X15,40
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：GRID ARRAY, LOW PROFILE
Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
Код ECCN：3A991.B.2.A
Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Количество функций：1
Шаг выводов：1 mm
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：165
Код JESD-30：R-PBGA-B165
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.89 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.71 V
Режим работы：SYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：1.1 mA
Организация：2MX36
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.4 mm
Ширина памяти：36
Ток ожидания-макс：0.28 A
Плотность памяти：75497472 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип ввода/вывода：SEPARATE
Тип микросхемы памяти：QDR SRAM
Минимальная напряжение спящего режима：1.7 V
Длина：15 mm
Ширина：13 mm

Со склада 0

Итого $0.00000