Изображение служит лишь для справки

NXH010P120M3F1PG

Lagernummer 33

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:PIM-18
  • РХОС:RoHS Compliant
  • Монтажные варианты:Screw Mount
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1.2 kV
  • Id - Непрерывный ток разряда:105 A
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:14.5 mOhms
  • Усв:- 10 V, + 22 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4.4 V
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Распад мощности:272 W
  • Производственный партионный объем:28
  • Время задержки отключения типичного:98 ns
  • Время типичного задержки включения:23 ns
  • Пакетирование:Tray
  • Тип:Power Module
  • Конфигурация:Half-Bridge
  • Каналов количество:2 Channel
  • Время подъема:15 ns
  • Продукт:SiC MOSFET Modules
  • Высота:12.35 mm
  • Длина:63.3 mm
  • Ширина:34.1 mm

Со склада 33

Итого $0.00000