IDT7M912S35CB

Name: Integrated Device Technology Inc IDT7M912S35CB
Brand: Integrated Device Technology Inc
Rating: 4.5 (18 reviews)

Integrated Device Technology Inc
Память
-
Description: SRAM Module, 64KX9, 35ns, CMOS
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：40
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Время доступа-максимум：35 ns
Количество слов：65536 words
Количество кодовых слов：64000
Температура работы-Макс：125 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Код пакета：DIP
Код эквивалентности пакета：DIP40,.6
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
Номинальное напряжение питания (Вн)：5 V
Код JESD-609：e0
Код ECCN：3A001.A.2.C
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Количество функций：1
Шаг выводов：2.54 mm
Код соответствия REACH：not_compliant
Код JESD-30：R-XDMA-T40
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.5 V
Градация температуры：MILITARY
Напряжение питания минимальное (Vпит)：4.5 V
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：1.08 mA
Организация：64KX9
Характеристики выдачи：3-STATE
Ширина памяти：9
Ток ожидания-макс：0.18 A
Плотность памяти：589824 bit
Уровень фильтрации：MIL-STD-883 Class B (Modified)
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип ввода/вывода：SEPARATE
Тип микросхемы памяти：SRAM MODULE
Минимальная напряжение спящего режима：4.5 V

Со склада 0

Итого $0.00000