Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные MJE13001G-Q-I-AB3-F-R
Изображение служит лишь для справки
MJE13001G-Q-I-AB3-F-R
-
Unisonic Technologies Co Ltd
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Description: Small Signal Bipolar Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Траниционный частотный предел (fT)：8 MHz
- Время отключения макс. (toff)：1800 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-F3
- Конфигурация：SINGLE
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：400 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты