Изображение служит лишь для справки
IS46R16800E-6TLA1
- Integrated Silicon Solution Inc
- Память
- -
- DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-66
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:66
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Описание пакета:TSSOP, TSSOP66,.46
- Время доступа-максимум:0.7 ns
- Частота часовного генератора макс. (fCLK):167 MHz
- Количество слов:8388608 words
- Количество кодовых слов:8000000
- Температура работы-Макс:85 °C
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код пакета:TSSOP
- Код эквивалентности пакета:TSSOP66,.46
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн):2.5 V
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.02
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.65 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PDSO-G66
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):2.7 V
- Градация температуры:INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):2.3 V
- Количество портов:1
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.22 mA
- Организация:8MX16
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:1.2 mm
- Ширина памяти:16
- Ток ожидания-макс:0.003 A
- Плотность памяти:134217728 bit
- Уровень фильтрации:AEC-Q100
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:DDR1 DRAM
- Обновляющие циклы:4096
- Секвентальный длина импульса:2,4,8
- Межстрочный длина пакета:2,4,8
- Режим доступа:FOUR BANK PAGE BURST
- Автоперезапись:YES
- Длина:22.22 mm
- Ширина:10.16 mm
Со склада 0
Итого $0.00000