(0)
Изображение служит лишь для справки
2SD999L
-
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Description: Power Bipolar Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：GALAXY SEMI-CONDUCTOR CO LTD
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Траниционный частотный предел (fT)：130 MHz
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSSO-F3
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：135
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：25 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
