MGFC40V5258

Name: Mitsubishi Electric MGFC40V5258
Brand: Mitsubishi Electric
Rating: 4.8 (10 reviews)

Mitsubishi Electric
Транзисторы - Специального назначения
-
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-18, 2 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：GALLIUM ARSENIDE
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Максимальный ток утечки (ID)：2.4 A
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：175 °C
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：2
Код JESD-30：R-CDFM-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：DEPLETION MODE
Сокетная связка：SOURCE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Минимальная напряжённость разрушения：10 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
Частотная полоса наивысшего режима：C BAND
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：43 W

Со склада 0

Итого $0.00000