Изображение служит лишь для справки
MGF4931AM
- Mitsubishi Electric
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, P-Channel, High Electron Mobility FET, GD-30, 4 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:GALLIUM ARSENIDE
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
- Максимальный ток утечки (ID):0.0075 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:125 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PDSO-F4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения:2 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):HIGH ELECTRON MOBILITY
- Частотная полоса наивысшего режима:KU BAND
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:0.05 W
- Уголок мощности-минимум (Гп):10 dB
Со склада 0
Итого $0.00000