(0)
Изображение служит лишь для справки
NDB606AL
-
National Semiconductor Corporation
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: TRANSISTOR 48 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID)：48 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：400 ns
- Время включения макс. (ton)：530 ns
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.025 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：144 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：400 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：100 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
