Изображение служит лишь для справки
IRLR014A
- Samsung Semiconductor
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Описание пакета:,
- Максимальный ток утечки (ID):8.2 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Код ECCN:EAR99
- Код соответствия REACH:unknown
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):18 W
Со склада 0
Итого $0.00000