(0)
Изображение служит лишь для справки
DI040P04PT
-
Diotec Semiconductor AG
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN3030, QFN-8
Date Sheet
Lagernummer 5830
- 1+： $0.48708
- 10+： $0.45951
- 100+： $0.43350
- 500+： $0.40896
- 1000+： $0.38581
Zwischensummenbetrag $0.48708
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
- Описание пакета：DFN3030, QFN-8
- Максимальный ток утечки (ID)：30 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：S-PDSO-F8
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.015 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：160 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：51 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：22.7 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：178 pF
Со склада 5830
- 1+： $0.48708
- 10+： $0.45951
- 100+： $0.43350
- 500+： $0.40896
- 1000+： $0.38581
Итого $0.48708
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
