(0)
Изображение служит лишь для справки
YJH03N10A
-
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：YANGZHOU YANGJIE ELECTRONICS CO LTD
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Максимальный ток утечки (ID)：3 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-F3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.11 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：12 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：1.5 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
