Изображение служит лишь для справки
K4B1G0446E-HCF8
-
Samsung Semiconductor
-
Память
- -
- DDR DRAM, 256MX4, 0.15ns, CMOS, PBGA78,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：78
- Rohs Code：Yes
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Access Time-Max：0.15 ns
- Clock Frequency-Max (fCLK)：533 MHz
- Moisture Sensitivity Levels：3
- Number of Words：268435456 words
- Number of Words Code：256000000
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Code：FBGA
- Package Equivalence Code：BGA78,9X13,32
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：GRID ARRAY, FINE PITCH
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：1.5 V
- JESD-609 Code：e1
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN SILVER COPPER
- HTS Code：8542.32.00.32
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：BALL
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Terminal Pitch：0.8 mm
- Reach Compliance Code：unknown
- JESD-30 Code：R-PBGA-B78
- Qualification Status：Not Qualified
- Supply Current-Max：0.18 mA
- Organization：256MX4
- Output Characteristics：3-STATE
- Memory Width：4
- Memory Density：1073741824 bit
- I/O Type：COMMON
- Memory IC Type：DDR3 DRAM
- Refresh Cycles：8192
- Sequential Burst Length：4,8
- Interleaved Burst Length：4,8
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты