Изображение служит лишь для справки
K4M64163PH-RF75
-
Samsung Semiconductor
-
Память
- -
- Description: Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：54
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Время доступа-максимум：6 ns
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：133 MHz
- Количество слов：4194304 words
- Количество кодовых слов：4000000
- Температура работы-Макс：70 °C
- Минимальная температура работы：-25 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：FBGA
- Код эквивалентности пакета：BGA54,9X9,32
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：GRID ARRAY, FINE PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.02
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：S-PBGA-B54
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Градация температуры：OTHER
- Максимальный ток подачи：0.06 mA
- Организация：4MX16
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：16
- Ток ожидания-макс：0.0003 A
- Плотность памяти：67108864 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：SYNCHRONOUS DRAM
- Обновляющие циклы：4096
- Секвентальный длина импульса：1,2,4,8,FP
- Межстрочный длина пакета：1,2,4,8
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты