Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HY1607P
Изображение служит лишь для справки
HY1607P
-
HUAYI
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 68V 80A 6.8mΩ@10V,40A 115W 3V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 22
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：68V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：6.8mΩ@10V,40A
- Power Dissipation (Pd)：115W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：277pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：3.203nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：84nC@10V
- Package：Tube-packed
- Operating Temperature：-55℃~+175℃@(Tj)
- Type：1 N-Channel
Со склада 22
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты