Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PSMN022-30PL-VB
Изображение служит лишь для справки
PSMN022-30PL-VB
- VBsemi Elec
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 30V 55A 10mΩ@10V,28.8A 120W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS
- Date Sheet
Lagernummer 75
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS:true
- Drain Source Voltage (Vdss):30V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,28.8A
- Power Dissipation (Pd):120W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):370pF@15V
- Input Capacitance (Ciss@Vds):2.201nF@15V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):25nC@4.5V
- Package:Tube-packed
- Operating Temperature:-55℃~+175℃@(Tj)
- Type:1 N-Channel
Со склада 75
Итого $0.00000